新闻中心
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在追求高性能电子器件的今天，碳化硅以其卓越的物理和电学性能，成为了制造电力电子器件的理想材料。然而，碳化硅衬底在抛光工艺上还面临着成本、环保等方面的难题，一直是制约其广泛应用的瓶颈。传统CMP（化学机械抛光）需要使用大量的抛光液材料，抛光液成本占抛光环节成本比例较大，这不仅增加了生产成本，也对环境造成了负担。近日，日本立命馆大学（Ritsumeikan University）一研究团队开发了一种新···
2024
07-13
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1前言集成电路制造关键技术及装备主要包括光刻技术及光刻设备、薄膜生长技术及装备、化学机械抛光技术及装备、高密度后封装技术及装备等，均涉及高效率、高精度、高稳定性的运动控制技术和驱动技术，对结构件的精度和结构材料的性能提出了极高的要求[1]。先进陶瓷部件的强度、硬度很高，对高温、高磨损、高腐蚀等环境下具有强大的抵抗能力，在某些工况下比金属或者高分子材料具有不可替代的优势。随着现代工业技术的发展，对精···
2024
07-09
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碳化硅是一种人造材料，只是在人工合成碳化硅之后，才证实陨石中及地壳上偶然存在碳化硅。碳化硅的分子式为 SiC，分子量为 40.07，质量百分组成为 70.04的硅与 29.95 的碳，碳化硅的理论密度为 3.16-3.2g/cm3。碳化硅陶瓷与其他耐高温结构陶瓷的物理性能比较SiC 是以共价键为主的共价化合物，由于碳和硅两元素在形成 SiC 晶体时，它的基本单元是四面体，所有 SiC 均由 SiC···
2024
07-04
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碳化硅技术：引领半导体领域革新的关键力量 碳化硅（Silicon Carbide，简称SiC）作为一种先进的半导体材料，为半导体技术的突破性发展提供了巨大的潜力。从碳化硅的起源、结构性质、外延生长到晶圆制造、器件设计、封装与模块化，本文将全面探讨碳化硅技术在半导体领域的重要性、关键技术和应用前景。碳化硅（Silicon Carbide，简称SiC）是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用领域。它的起···
2024
06-27
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在半导体产业链里面，一个小而美的材料，那就是靶材。从名称中不难理解，靶材就是要被射中的靶，但是这里我们所说的靶材并不是射箭的那个靶材，而是高速核能粒子，通过不同的靶材，就可得到不同的膜系。虽然靶材并不像硅片或者光刻胶一样显眼，但是作用不可小觑。不少人可能对靶材比较陌生，可是它却早早潜伏在你的生活中，比如我们形影不离的手机。芯片是手机的灵魂，那我们这里所说的靶材就是芯片的灵魂，芯片上有很多密密麻麻的···
2024
06-25
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1碳化硼基本性质碳化硼迄今为止已经有近170年的发展历史，其原子结构近年来已被广泛研究，其主要的晶体结构（图1）是12个原子组成的二十面体和在二十面体上的连接的一个三原子链，该结构也被称为六角结构，碳原子和硼原子在六角结构上能互相取代，这也导致了碳化硼具有很多种同分异构体。图1 碳化硼的晶体结构[1]碳化硼晶体结构的特殊性决定了其具有很多优异性能（图2），碳化硼具有极高的硬度（仅次于金刚石和立方氮···
2024
06-20
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为提高碳化硅防护装甲材料的抗冲击性能,基于Materials Studio建立的模型仿真研究高温下AL-BN-C体系助剂在SIC中具有良好的热稳定性与结品度。通过实验验证模拟的有效性。以碳化硅微粉作为原料。向原料中分别添加AL-BN-C体系烧结助剂及 AL203-Y203-Mg0 体系烧结助剂,热压烧结后对比2种陶瓷的抗冲击性能,在1950C30 MPa、保温保压60min 条下,Al-BN-C ···
2024
06-13
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前言：碳化硅是 C—Si 共价键相结合的一种化合物，具有良好的耐磨性和抗热震性，以及耐腐蚀性强，热导率高等优良性能，被广泛用于航空航天、机械制造、石油化工、金属冶炼以及电子行业，特别用于制作耐磨损部件和高温结构部件。反应烧结碳化硅陶瓷是最早实现工业化生产的结构陶瓷之一。传统反应烧结碳化硅陶瓷是以碳化硅粉和少量炭粉为原料， 经高温渗硅反应烧结而成，烧结时间长，温度高，能耗大，成本高。随着反应烧结碳化···
2024
06-11
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随着军事科技的进步，战场人员和装备对自身的防护等级要求越来越高，防弹材料应运而生，主要应用在防弹衣、车辆装甲、航空等领域。陶瓷防弹材料因具备强度高、硬度大、高弹性模量、稳定性好、轻质等特点成为防弹材料领域研究的热点。防弹材料从诞生到现在历经了以锰钢、钨钢、铝合金、钛合金等硬质金属为主的防弹材料，到以尼龙纤维、芳纶纤维、UHMWP纤维、凯夫拉纤维等高分子防弹材料，再到以金属材料与陶瓷材料复合体系、陶···
2024
06-06
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碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料（Si），碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等···
2024
06-04